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FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de alimentação redundante 115-230 VAC 12 VDC A 150 MA

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de alimentação redundante 115-230 VAC 12 VDC A 150 MA

Detalhes do produto:
Lugar de origem: JAPÃO
Marca: INFINEON
Certificação: CE
Número do modelo: FF1200R17KE3_B2
Informações detalhadas
Lugar de origem:
JAPÃO
Marca:
INFINEON
Certificação:
CE
Número do modelo:
FF1200R17KE3_B2
Canais entrados:
32
Avaliação de poder de LocalBus:
12 VDC em 150 miliampères
Comprimento do cabo:
0.3 m
Classificação atual:
8 AMPÈRES
Dimensões:
150 mm x 100 mm x 40 mm
Tensão de saída:
12V CC
Tensão operacional:
220(V)
Tensão:
115-230 VCA
Destacar:

High Light

Destacar:

Modulo de alimentação redundante Infineon 115-230 VAC

,

12 VDC módulo de alimentação redundante

,

Módulo de alimentação redundante de 150 MA

Informações de negociação
Quantidade de ordem mínima:
1
Preço:
Negociável
Detalhes da embalagem:
Novo e Original
Tempo de entrega:
5-7 dias
Termos de pagamento:
T/T, L/C
Habilidade da fonte:
100
Descrição do produto

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de Fonte de Alimentação Redundante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA

 

FF1200R17KE3_B2 Descrição​
O FF1200R17KE3_B2 é um módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta potência e alta eficiência da Infineon Technologies, projetado para aplicações exigentes de conversão de energia industrial. Parte da série avançada de IGBTs da Infineon, este módulo integra múltiplos IGBTs e diodos de roda livre em um único pacote compacto, permitindo um desempenho robusto em ambientes de alta corrente e alta tensão. Ele oferece comutação confiável, baixas perdas e excelentes características térmicas, tornando-o ideal para acionamentos de motores pesados, inversores de energia renovável e fontes de alimentação industriais.

 

FF1200R17KE3_B2 Características​

  • Alta Densidade de Potência:​ Configuração de IGBT duplo com diodos antiparalelos em um módulo compacto, suportando altas classificações de corrente e tensão para projetos com restrição de espaço.
  • Tecnologia de Baixa Perda:​ Utiliza tecnologia avançada de chip de IGBT e diodo para minimizar as perdas de condução e comutação, melhorando a eficiência geral do sistema.
  • Alta Confiabilidade:​ O design robusto do substrato cerâmico garante excelente isolamento, capacidade de ciclagem térmica e estabilidade operacional a longo prazo.
  • Fácil Montagem:​ A placa de base isolada (variante B2) permite a montagem direta em um dissipador de calor comum sem isolamento adicional, simplificando o gerenciamento térmico.
  • Design de Baixa Indutância:​ O layout interno otimizado minimiza a indutância parasita, aprimorando o desempenho da comutação e reduzindo a sobretensão.
  • Monitoramento de Temperatura:​ Termistor NTC (Coeficiente de Temperatura Negativo) integrado fornece detecção de temperatura em tempo real para proteção térmica e monitoramento do sistema.
FF1200R17KE3_B2 Material e Aplicações​
  • Material:​ O módulo apresenta um chipset de IGBT e diodo de silício de alto desempenho, substrato cerâmico de nitreto de alumínio (AlN) ou Al₂O₃ para isolamento elétrico e uma placa de base de cobre para dissipação eficiente de calor. A carcaça é feita de plástico PPS (sulfeto de polifenileno), proporcionando alta resistência à temperatura e resistência mecânica.
  • Aplicações Primárias:​
    • Acionamentos de motores de alta potência e servo acionamentos para máquinas industriais.
    • Sistemas de inversores de energia solar e eólica.
    • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e equipamentos de soldagem.
    • Sistemas de tração e acionamento ferroviário.
FF1200R17KE3_B2 Parâmetros Chave
Parâmetro
Especificação
Modelo​
FF1200R17KE3_B2
Fabricante​
Infineon Technologies
Tipo de Módulo​
Módulo IGBT Duplo (2 em 1)
Corrente do Coletor Nominal (Ic @ 25°C)​
1200 A
Tensão Máxima Coletor-Emissor (Vces)​
1700 V
Tensão de Saturação Máxima Coletor-Emissor (Vce(sat))​
2,5 V (típico)
Dissipação de Potência Total Máxima (Pt)​
6000 W
Tensão de Isolamento (Visol)​
4000 Vrms / 5600 Vdc
Faixa de Temperatura da Junção (Tvj)​
-40°C a +175°C
Peso do Módulo​
Aprox. 400 g
Tipo de Terminal​
Terminais de parafuso
Diodo Integrado​
Sim (Diodo antiparalelo de recuperação rápida)
Sensor Térmico​
Termistor NTC integrado
Montagem​
Placa de base isolada (variante B2)
Material da Carcaça​
Plástico PPS
Torque Recomendado (Terminais)​
2,5 Nm
Conformidade com Padrões​
Conformidade com RoHS, certificado UL
 
 
 

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> Oferecemos alta qualidade, entrega rápida, preço competitivo para Servo Drives e Motores Mitsubishi.

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Nossos Produtos de Vantagem:

 

[Honeywell]Módulo DCS / PLC

 

[Emerson / Delta V]Módulo


[ABB]Módulo de Entrada e Saída

 

[AB]Módulo / Tela sensível ao toque

 

[Rosemount]Transmissor de Pressão e Temperatura

 

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[Yaskawa]Servo Drive / Servo Motor


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[Mitsubishi]Servo Drive / Servo Motor


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